“我們在正確的道路上，向著正確的方向取得了實實在在的發(fā)展。”長江存儲總經(jīng)理楊士寧在本周舉行的“2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第十九屆中國集成電路制造年會”上發(fā)出如此感慨，并得到中芯國際、華虹宏力等集成電路龍頭企業(yè)與會代表的認同。

 

　　與此同時，在上游的集成電路設備及材料領域，中微半導體、北方微電子(七星電子子公司)、盛美半導體、北京科華等企業(yè)代表也表示，已實現(xiàn)了“從無到有”的跨越。他們認為，隨著市場重心向中國轉(zhuǎn)移，國內(nèi)集成電路制造業(yè)隨之而起的大規(guī)模擴張也是上游設備材料產(chǎn)業(yè)千載難逢的發(fā)展機遇。

 

　　但不容忽視的是，在發(fā)展機遇面前，創(chuàng)新能力和人才儲備已成為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)亟待解決的問題。

 

　　制造環(huán)節(jié)追趕先進

 

　　“大基金現(xiàn)在重點支持中芯國際、長江存儲、華虹宏力。”在福建廈門舉行的本屆年會上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金”)總經(jīng)理丁文武強調(diào)。集成電路制造是國家發(fā)展和支持的重點領域，而鑒于信息和產(chǎn)業(yè)安全，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)已成為“重中之重”。

 

　　“我們在正確的道路上，向著正確的方向取得了實實在在的發(fā)展。”長江存儲總經(jīng)理楊士寧如此概括該公司在3D-NAND領域的業(yè)務進展。在楊士寧看來，中國現(xiàn)在具有發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的機遇：目前55%的存儲器市場在中國，集中的市場下，需要一個打破現(xiàn)有平衡的供應商。而長期的國家政策和資金支持，使得產(chǎn)業(yè)有了一定的積累，有了聚集全球半導體領域人才的可能。

 

　　“但一個空前的挑戰(zhàn)是，在主流集成電路領域已經(jīng)沒有‘容易干的活’。”楊士寧也清楚中國發(fā)展存儲器的難度。這個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度之快，使技術(shù)上落后五年就等于“已被判死刑”。鑒于此，長江存儲選擇了3D-NAND作為突破口。事實上，3D-NAND已成為存儲器發(fā)展“眾望所歸”的方向。

 

　　楊士寧介紹稱，長江存儲主要股東武漢新芯的3D-NAND架構(gòu)已完全打通，目前已進展到可靠性測試環(huán)節(jié)。此前，據(jù)中國科學院微電子研究所所長葉甜春介紹，武漢新芯與該所聯(lián)合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結(jié)構(gòu)開發(fā)，各項結(jié)構(gòu)參數(shù)達到要求，開始產(chǎn)品試制。

 

　　在本屆年會上，中芯國際首席運營官趙海軍笑言，雖然已成為產(chǎn)業(yè)風向標，中芯國際對集成電路產(chǎn)業(yè)的態(tài)度依然是：“縱你虐我千百遍，我仍待你如初戀。”趙海軍表示，中芯國際的目標是國內(nèi)頂尖和世界前三。據(jù)透露，中芯國際在技術(shù)上已進入14nm級的研發(fā)階段、10nm級的儲備階段，近期在產(chǎn)能擴張上也有望再度發(fā)力。

 

　　不過，中芯國際等龍頭企業(yè)追趕全球先進水平的腳步可能還需要提速。“在臺積電即將量產(chǎn)10nm級產(chǎn)品的情況下，不管是28nm級還是14nm級，都已略顯落后。更好地學習先進，在別人走過的道路上不走冤枉路，才能加速前進和追趕。”一位上游設備供應商代表對上證報記者表示。

 

　　設備材料領域從無到有

 

　　“集成電路產(chǎn)業(yè)的競爭到最后就是設備和材料的競爭。”一位業(yè)內(nèi)資深人士向記者強調(diào)。在本屆年會上，上游設備材料領域也有“喜報”：國內(nèi)企業(yè)已實現(xiàn)“從無到有”，一批高端集成電路設備成功進入大規(guī)模生產(chǎn)線。先看一組數(shù)據(jù)，據(jù)中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會對國內(nèi)34家集成電路設備制造商的最新統(tǒng)計，2015年度，國產(chǎn)集成電路設備的整體銷售收入為47.17億元，同比增長16.4%;實現(xiàn)利潤10.53億元，同比增長24.2%;出口交貨值6.62億元，同比增長50.1%，均創(chuàng)歷史新高。該協(xié)會副秘書長金存忠預測：2016年，我國主要集成電路設備制造商的整體銷售收入將增長約25%。

 

　　其中，作為國內(nèi)領先的刻蝕機制造商，早在2015年2月，中微半導體就以其等離子體刻蝕機的問世，迫使美國放開了該產(chǎn)品的對華出口限制。而目前，中微半導體的等離子刻蝕設備已可涵蓋大部分LOGIC器件的介質(zhì)刻蝕，在CCP介質(zhì)刻蝕設備、TSV/MEMS刻蝕設備、MOCVD設備等方面均已排進全球前三。該公司的新產(chǎn)品ICP刻蝕設備已進入生產(chǎn)線認證，VOC設備已完成客戶驗證并實現(xiàn)重復訂貨。

 

　　王暉預測，到2021年，國內(nèi)集成電路裝備產(chǎn)業(yè)將進入“三國鼎立時代”。屆時，上市公司將成為競爭主體，并以市場為杠桿整合那些未上市企業(yè)，進而集中成少數(shù)幾家有實力的、具備國際先進水平的公司。資料顯示，盛美半導體的濕法工藝技術(shù)已達世界先進水平。而在這方面，北方微電子可能走得更快，該公司已通過“投身”七星電子實現(xiàn)了證券化。

 

　　另一方面，在關(guān)鍵材料領域，北京科華的光刻膠已經(jīng)應用于6英寸和8英寸生產(chǎn)線，并表示力爭在2016年完成12英寸生產(chǎn)線的試用突破。

 

　　“他們實現(xiàn)了國產(chǎn)設備從無到有的突破。”作為同行，泛林集團(LAM)副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯這樣評價上述集成電路設備公司。不過，劉二壯進一步指出：中國的設備商與LAM、ASML等國際設備巨頭相比，還有相當?shù)木嚯x，尚未能進入光刻機等更高端的核心技術(shù)領域;此外，基于國內(nèi)廠商采取了與本土用戶合作進行設備研發(fā)、驗證的模式，而國內(nèi)用戶在技術(shù)上還整體落后于國際水平，由此導致國內(nèi)設備無法做到世界頂尖水平。劉二壯強調(diào)，中國集成電路設備材料業(yè)的成敗，在于是否能夠抓住這次全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)擴張的機會。而在此過程中，一定要和全球最先進的用戶展開合作開發(fā)，但目前來看，還沒有這樣的機會。不過，基于中國的市場規(guī)模，LAM、ASML均曾表示，不排除與中國的設備商展開各種形式合作的可能。

 

　　聚焦“創(chuàng)新”和“人才”

 

　　形勢一片大好之際，也有諸多業(yè)內(nèi)人士“先天下之憂而憂”，在本屆年會上，中國集成電路產(chǎn)業(yè)所面臨的創(chuàng)新能力與人才儲備問題成為重要話題。

 

　　在葉甜春看來，中國的集成電路企業(yè)目前尚缺乏創(chuàng)新，“一是沒有意識到已到了需要創(chuàng)新的時候;二是‘跟隨’太久，已經(jīng)不擅長創(chuàng)新了。”他認為，國內(nèi)企業(yè)已從緊跟世界領先水平，到了走向自主創(chuàng)新的時候，“跟隨”戰(zhàn)略已不能驅(qū)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，獲得“探路和創(chuàng)新”能力，已成為國內(nèi)企業(yè)做大做強的決定性因素。

 

　　據(jù)了解，不僅在企業(yè)層面，各級政府也將集成電路產(chǎn)業(yè)的人才問題提上了重要日程。在本屆年會上，工信部電子司集成電路處處長任愛光致開幕辭時透露，工信部將著力加強集成電路產(chǎn)業(yè)的人才培養(yǎng)，并正探討是否采取比利時的大學校際微電子研究中心(IMEC)模式，聚集全球半導體人才，打造中國的高端人才培養(yǎng)平臺。目前，IMEC作為比利時的微電子產(chǎn)業(yè)平臺，匯集了全球集成電路人才和企業(yè)客戶，投入產(chǎn)出比超過1:9。任愛光表示，工信部也在聯(lián)合企業(yè)，針對高端人才引進和基礎工程技術(shù)人員培訓進行部署。

 

　　基礎人才的培養(yǎng)同樣成為業(yè)界重視的問題。ASML中國地區(qū)總經(jīng)理金泳璇認為，中國集成電路產(chǎn)業(yè)最大的挑戰(zhàn)是中高端人才的問題，“目前來看人才似乎還算充足，但有那么多生產(chǎn)線要建，中國能夠及時培養(yǎng)足夠的基礎工程師來支持這個產(chǎn)業(yè)嗎?事實上，我們(ASML中國)也在搜尋優(yōu)秀人才，但很困難。”對此，有中芯國際相關(guān)人士表示，隨著產(chǎn)能擴張，人才招聘和培訓已成為中芯國際的“大事”，“畢竟，一年要上幾條產(chǎn)線，從高端管理人員到基礎工程師，需求都很大。”