中國(guó)大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng)，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴(lài)海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國(guó)國(guó)務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國(guó)制造”(MIC 2025)計(jì)劃，目標(biāo)到了2020年達(dá)到4成的IC產(chǎn)品自給自足率目標(biāo)，到了2025年更要達(dá)到7成水準(zhǔn)。不過(guò)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights分析認(rèn)為，這項(xiàng)目標(biāo)恐難達(dá)成，而技術(shù)落差也成為現(xiàn)階段大陸IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的最主要困境。 

 

　　國(guó)家層級(jí)IC產(chǎn)業(yè)供需自給自足的迷思 

 

　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)指出，現(xiàn)實(shí)情況下在整體IC產(chǎn)業(yè)中由于各環(huán)節(jié)環(huán)環(huán)相扣，任何缺少不論是一款低階IC、制程材料或封裝類(lèi)型等的情況，都有可能導(dǎo)致整個(gè)電子系統(tǒng)的生產(chǎn)及出貨受到影響。因此，透過(guò)政府力量設(shè)定一個(gè)要達(dá)到的自給自足或一定水準(zhǔn)供應(yīng)比例的數(shù)字，將是不切實(shí)際的做法。 

 

　　如美國(guó)政府在1980年代初期試圖確保用于生產(chǎn)軍用IC的每個(gè)晶圓制造、封裝材料以及半導(dǎo)體制程設(shè)備的每個(gè)環(huán)節(jié)中，至少有一個(gè)是來(lái)自美國(guó)本地制造的產(chǎn)品、材料或技術(shù)，但若有無(wú)法由美國(guó)本地供應(yīng)的情況產(chǎn)生，就有可能導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)線無(wú)法生產(chǎn)及出貨，因此政府設(shè)定低于100%自給自足率目標(biāo)的規(guī)定反而成為了限制及不可能達(dá)成的任務(wù)。美國(guó)政府30多年前這項(xiàng)目標(biāo)最終就以不得不放棄告終，即使當(dāng)年的IC制程還不是很復(fù)雜。 

 

　　因此，可以說(shuō)任何在IC產(chǎn)業(yè)中低于100%自給自足率的情況，都可以說(shuō)是未達(dá)自給自足的水準(zhǔn)。 

 

　　大陸發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)資金不成問(wèn)題　技術(shù)才是主要困境 

 

　　對(duì)中國(guó)政府來(lái)說(shuō)，若要讓2025年中國(guó)制造的計(jì)劃成真，資金及技術(shù)掌握將成為兩大關(guān)鍵，兩者被認(rèn)為對(duì)目標(biāo)達(dá)成與否有著相等重要性，其中在資金掌握上較不是問(wèn)題，如中央政府已批準(zhǔn)提供大陸本地IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展達(dá)近200億美元的資金支持，大陸地方政府及民間投資者合計(jì)也可望提供另外近1,000億美元的資金支持。 

 

　　整體而言上述合計(jì)的龐大資金支援規(guī)模，可能已足以投建至少10座大規(guī)模300納米IC產(chǎn)線。由此可確定大陸在發(fā)展自有IC產(chǎn)業(yè)上，在資金獲取上應(yīng)不是什么太大問(wèn)題。 

 

　　因此，發(fā)展阻礙反而主要是出在技術(shù)掌握上。雖然自2014年起大陸IC產(chǎn)業(yè)積極尋求向海外進(jìn)行既有IC企業(yè)及技術(shù)收購(gòu)移動(dòng)，欲借此壯大自有新投建的晶圓廠房實(shí)力，并因此獲致部分成功案例，如買(mǎi)下ISSI及豪威科技(OmniVision)，但發(fā)展至今許多海外國(guó)家政府對(duì)于大陸IC產(chǎn)業(yè)對(duì)中國(guó)IC企業(yè)的收購(gòu)移動(dòng)均已產(chǎn)生戒心，美國(guó)政府即為一明確案例，因而對(duì)大陸IC產(chǎn)業(yè)的收購(gòu)移動(dòng)會(huì)有所限制及阻擋。 

 

　　在此情況下，反而不利大陸IC產(chǎn)業(yè)未來(lái)持續(xù)借由收購(gòu)策略，壯大自有技術(shù)實(shí)力的可能性，可以說(shuō)此途徑的機(jī)會(huì)之窗已經(jīng)關(guān)上，未來(lái)大陸IC產(chǎn)業(yè)只能尋求自行研發(fā)的方式壯大自有技術(shù)水平。 

 

　　因此，目前大陸新投建晶圓廠所采用的制程技術(shù)，相較于全球一線晶圓大廠仍落后達(dá)至少兩個(gè)世代，如福建省晉華集成電路公司投建的12吋晶圓廠仍在32納米DRAM制程技術(shù)階段，上海華力微電子新廠房制程技術(shù)也仍在28納米世代，這讓大陸半導(dǎo)體業(yè)者要與國(guó)際一線大廠競(jìng)爭(zhēng)，仍存在一段明顯技術(shù)上的落差。 

 

　　人才挖角取得他廠知識(shí)產(chǎn)權(quán)策略　恐得不償失 

 

　　雖然近期外傳大陸IC產(chǎn)業(yè)透過(guò)挖角三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及英特爾(Intel)大陸IC產(chǎn)線工程師的方式，欲強(qiáng)化自主技術(shù)開(kāi)發(fā)能力，因這些被挖角工程師能夠?qū)⒃�服�?wù)公司的專(zhuān)利權(quán)及經(jīng)驗(yàn)帶到新公司，不過(guò)IC Insights認(rèn)為這是相當(dāng)危險(xiǎn)的方法，最顯著例子就是約10多年前臺(tái)積電與中芯國(guó)際(SMIC)的專(zhuān)利侵權(quán)案。 

 

　　臺(tái)積電在2003年控訴中芯國(guó)際挖角超過(guò)100名前臺(tái)積電員工，要求這些員工提供臺(tái)積電的商業(yè)機(jī)密給中芯國(guó)際，臺(tái)積電指控中芯國(guó)際侵犯該公司5項(xiàng)IC制程技術(shù)專(zhuān)利，而后再增至8項(xiàng)，最后到了2015年初由中芯國(guó)際支付臺(tái)積電1.75億美元、以及臺(tái)積電取得中芯國(guó)際8%股份解決此爭(zhēng)議。由此，可看出要透過(guò)人才挖角取得他廠專(zhuān)利，反而可能導(dǎo)致自身面臨更大的法律爭(zhēng)訟與賠償風(fēng)險(xiǎn)。 

 

　　全球DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展多年，發(fā)展至今形成只剩幾家主要大廠瓜分市占率局面，這些大廠早已掌握大量相關(guān)專(zhuān)利，若大陸半導(dǎo)體業(yè)者欲自行開(kāi)發(fā)新的DRAM或NAND Flash技術(shù)，將很有可能侵犯到主要大廠持有的專(zhuān)利，屆時(shí)面臨的侵權(quán)訴訟戰(zhàn)反而恐讓大陸業(yè)者得不償失。 

 

　　雖然預(yù)期2016~2021年大陸本地IC生產(chǎn)的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)可望迎來(lái)非常強(qiáng)勁的18%水準(zhǔn)，但有鑒于2016年大陸IC生產(chǎn)規(guī)模僅130億美元，因此即使CAGR高，但仍只是從相對(duì)小的產(chǎn)值規(guī)模茁壯起，規(guī)模要見(jiàn)到大幅擴(kuò)增仍需時(shí)間。 

 

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